- Editorial:
- RA-MA
- Año de edición:
- 2000
- Materia
- informatica
- ISBN:
- 978-84-7897-470-2
- Páginas:
- 400
- Colección:
- VARIAS
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
ROLDAN / GAMIZ
-- ÍNDICE --
PREFACIO...
CAPÍTULO 1. ESTADOS ELECTRÓNICOS Y BANDAS DE ENERGÍA EN LOS SEMICONDUCTORES .......... 1
1.1 Redes cristalinas I . 1
1.2 Redes cristalinas II 7
1.3 Índices de Miller 16
1.4 Estructura de bandas I... 17
1.5 Estructura de bandas II.. 20
1.6 Estructura de bandas III. 28
1.7 Cálculo de velocidades y masas efectivas 32
1.8 Transporte de portadores en un campo eléctrico 34
1.9 Densidad de estados energéticos. Semiconductor tridimensional... 37
1.10 Densidad de estados energéticos. Semiconductor bidimensional. 40
1.11 Estadística de semiconductores. 40
1.12 Centros tripolares 53
1.13 Efecto Hall 60
1.14 Centros profundos 64
1.15 Generación y recombinación de portadores... 68
1.16 Recombinación Auger... 75
1.17 Problemas propuestos..... 77
CAPÍTULO 2. TRANSPORTE EN SEMICONDUCTORES 79
2.1 Pseudoniveles de Fermi.... 79
2.2 Tiempos de relajación.... 84
2.3 Ecuaciones de continuidad I.... 88
2.4 Ecuaciones de continuidad II... 96
2.5 Evolución temporal del exceso de portadores 104
2.6 Ionización por impacto... 107
2.7 Problemas propuestos..... 108
CAPÍTULO 3. LA UNIÓN METAL-SEMICONDUCTOR 111
3.1 Relación entre cargas, potenciales y corrientes 111
3.2 Unión metal-semiconductor en circuitos 120
3.3 Cálculo de potenciales en diodos metal-semiconductor intrínseco-semiconductor dopado 126
3.4 Uniones metal-semiconductor óhmicas 129
3.5 Cálculo de la capacidad de transición. Estudio de los perfiles de dopado. 132
3.6 Problemas propuestos..... 134
CAPÍTULO 4. LA UNIÓN PN 137
4.1 Relación entre cargas, potenciales y corrientes 137
4.2 Modelo de gran señal del diodo, resistencia interna 149
4.3 Corrientes de generación y recombinación 153
4.4 Capacidades de la unión PN y cálculo de perfiles de dopado 156
4.5 Modelo de control de carga, tiempo de almacenamiento 162
4.6 Problemas propuestos. ... 165
CAPÍTULO 5. EL TRANSISTOR BIPOLAR.. 167
5.1 Cargas y corrientes en el transistor bipolar 167
5.2 Polarización de transistores PNP 180
5.3 Modelo de pequeña señal del TB.... 184
5.4 Transistor bipolar de deriva, dopado de base no uniforme. Transistores de base gradual 192
5.5 Rotura en un transistor bipolar. Rotura por multiplicación en avalancha y punchthrough. 195
5.6 Problemas propuestos..... 196
CAPÍTULO 6. ESTRUCTURA METAL-AISLANTE-SEMICONDUCTOR. 199
6.1 Relación entre cargas y potenciales 199
6.2 Fuerte inversión. Tensión umbral 211
6.3 Débil inversión. Efecto de los estados de superficie 215
6.4 Capacidades en la estructura MIS. 217
6.5 Procesos de generación y recombinación en la estructura MIS 220
6.6 Procesos de formación de carga estática en la puerta y ruptura
del óxido o aislante de la estructura MIS 222
6.7 Problemas propuestos..... 222
CAPÍTULO 7. TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO 225
7.1 Transistores de efecto campo de unión I 225
7.2 Transistores de efecto campo de unión II. Región de saturación 232
7.3 Transistor MOSFET 237
7.4 Estudio del efecto cuerpo en transistores MOSFET 251
7.5 Corriente sub-umbral. MOSFET en inversión débil.. 253
7.6 Modulación de la longitud del canal. 255
7.7 Saturación de la velocidad de los portadores en el canal 261
7.8
El objetivo esencial de este libro es el de proporcionar a cualquier profesional relacionado con la electrónica tanto el conocimiento de los dispositivos electrónicos y su funcionamiento, como de los circuitos básicos que se pueden fabricar haciendo uso de ellos.
